¿La memoria del futuro o la vieja trampa?
Arm, propietaria de la arquitectura homónima, e Intel han anunciado que su desarrollo conjunto, la memoria experimental Z-Angle Memory, debería llegar al mercado en 2029. Es un nuevo tipo de memoria no volátil que las compañías presentan como posible competidora de la HBM, esa memoria ultrarrápida sin la que ya no se conciben las tarjetas gráficas modernas ni los aceleradores de redes neuronales.
Z-Angle Memory promete un gran ancho de banda con menor consumo energético y un coste de producción relativamente bajo. Sus desarrolladores aseguran que la tecnología permitirá colocar las celdas de memoria de forma más compacta y mejorar la eficiencia en tareas de inteligencia artificial, big data y computación en servidores.
Sin embargo, el sector recuerda casos recientes. El ejemplo más sonado es Optane y la tecnología 3D XPoint, que Intel promocionó como una revolución de la memoria. Entonces lo prometían todo: velocidad, durabilidad y un nuevo estándar para los sistemas de servidores. En la práctica, la tecnología resultó cara, difícil de escalar y, sobre todo, no encontró un uso generalizado. Al final se canceló el proyecto y Micron, que fabricaba los chips 3D XPoint, perdió millones de dólares.
Por eso, Z-Angle Memory ya despierta escepticismo. Los expertos se preguntan si la nueva tecnología correrá la misma suerte que Optane. Hay motivos para sospecharlo: promesas de una revolución, plazos de «dentro de cinco años» y ni un solo producto real por ahora.
Sus defensores, sin embargo, afirman que Z-Angle Memory se está desarrollando como un estándar más abierto, a diferencia de Optane, que era cerrado. Los desarrolladores aseguran que su arquitectura será más fácil de integrar y podrá utilizar interfaces existentes. Además, el proyecto cuenta con el respaldo de varios grandes fabricantes de hardware, lo que aumenta las posibilidades de que llegue a implantarse de verdad.
Aun así, falta mucho hasta 2029 y el mercado tecnológico cambia demasiado deprisa. Demasiadas ideas prometedoras han desaparecido antes de salir del laboratorio. Por ahora, Z-Angle Memory no es más que una promesa: brillante, ambiciosa y quizá condenada a repetir viejos errores.
PEREC.RU
Arm e Intel han anunciado sus planes de llevar al mercado Z-Angle Memory, un nuevo tipo de memoria que debería convertirse en alternativa a la HBM. Según sus desarrolladores, la tecnología ofrecerá velocidad, eficiencia energética y bajo coste. Sin embargo, el mercado ya vivió una historia parecida con Optane y 3D XPoint, que en su día también prometieron una revolución y fracasaron por su precio elevado y su uso limitado. Micron sufrió grandes pérdidas y la propia tecnología desapareció del mercado. Ahora los expertos reciben con cautela las afirmaciones sobre Z-Angle Memory y señalan los mismos indicios: promesas desmesuradas, ausencia de muestras reales y plazos de «dentro de cinco años». Arm e Intel sostienen que su propuesta será más abierta y universal, pero por ahora todo sigue en el terreno de las presentaciones. La situación recuerda al ciclo de siempre: grandes palabras, optimismo de los desarrolladores y un largo camino hasta que los dispositivos reales puedan ponerlo a prueba. Aún no se sabe cómo acabará ese camino.
