Следите за новостями по этой теме!
Подписаться на «Рифы и пачки / Твоя культура»
Arm, владелец одноимённой архитектуры, и Intel объявили, что их совместная разработка — экспериментальная Z-Angle Memory — должна появиться на рынке в 2029 году. Это новый тип энергонезависимой памяти, которую компании позиционируют как потенциального конкурента HBM — той самой сверхбыстрой памяти, без которой уже невозможно представить современные видеокарты и нейросетевые ускорители.
Z-Angle Memory обещает высокую пропускную способность при меньшем энергопотреблении и относительно низкой себестоимости производства. Разработчики уверяют, что технология сможет обеспечить более плотное размещение ячеек памяти и повысить эффективность в задачах искусственного интеллекта, больших данных и серверных вычислений.
Однако отрасль помнит недавние истории. Самый громкий пример — Optane и технология 3D XPoint, которые Intel продвигала как революцию в памяти. Тогда обещали всё: и скорость, и долговечность, и новый стандарт в серверных системах. На деле же технология оказалась дорогой, плохо масштабируемой, а главное — не нашла массового применения. В итоге проект свернули, а Micron, которая производила чипы 3D XPoint, потеряла миллионы долларов.
Поэтому вокруг Z-Angle Memory уже витает скепсис. Эксперты задаются вопросом: не повторит ли новая технология судьбу Optane? Похожих признаков хватает — обещания о прорыве, сроки «через пять лет», и пока ни одного реального продукта.
Сторонники технологии, впрочем, утверждают, что Z-Angle Memory создаётся как более открытый стандарт, в отличие от закрытой Optane. Разработчики уверяют, что архитектура будет проще в интеграции и сможет использовать существующие интерфейсы. Кроме того, проект поддерживается несколькими крупными производителями оборудования, что повышает шансы на реальное внедрение.
Тем не менее до 2029 года далеко, и рынок технологий меняется слишком быстро. Слишком много перспективных идей исчезало, не успев выйти из лабораторий. И пока Z-Angle Memory остаётся лишь обещанием — ярким, амбициозным и, возможно, повторяющим старые ошибки.
Компании Arm и Intel объявили о планах вывести на рынок Z-Angle Memory — новый тип памяти, который должен стать альтернативой HBM. По задумке разработчиков, технология обеспечит высокую скорость, энергоэффективность и низкую себестоимость. Впрочем, рынок уже пережил подобную историю с Optane и 3D XPoint, которые в своё время тоже обещали революцию, но провалились из-за высокой цены и ограниченного применения. Micron понесла крупные убытки, а сама технология исчезла с рынка. Теперь эксперты осторожно относятся к заявлениям о Z-Angle Memory, отмечая схожие признаки: чрезмерные обещания, отсутствие реальных образцов и сроки «через пять лет». Arm и Intel утверждают, что их подход будет более открытым и универсальным, но пока всё остаётся на уровне презентаций. Ситуация напоминает привычный цикл: громкие слова, оптимизм разработчиков и долгий путь до возможной проверки в реальных устройствах. Где этот путь закончится — пока неизвестно.