Samsung externaliza la producción de memoria

Samsung Electronics ha decidido encomendar a fabricantes externos el futuro aumento de la producción de módulos de memoria DDR5 convencionales y SSD, para reservar su propia capacidad productiva a productos más complejos y rentables, sobre todo HBM. La HBM, o memoria de alto ancho de banda, se utiliza en aceleradores de inteligencia artificial y requiere tecnologías avanzadas de empaquetado de chips.

Según fuentes del sector, Samsung se ha quedado sin espacio y equipos en las etapas finales de producción de semiconductores. La empresa está reasignando espacios e instalaciones de sus plantas de Cheonan y Onyang para líneas de empaquetado avanzado, incluida la producción de HBM. Por eso, ahora prevé cubrir el aumento de la producción de módulos de memoria convencionales principalmente mediante la externalización, en lugar de ampliar sus propias líneas.

Samsung ya ha pedido a sus socios de ensamblaje y pruebas de chips que aumenten la capacidad para DDR5 y SSD. Además, les ha instado a acelerar ampliaciones que algunos contratistas ya tenían previstas. Entre las empresas que están respondiendo a la petición figuran Dreamtech, Hanyang Digitech y SFA Semicon.

Dreamtech inició la producción en masa de módulos DDR5 en India en noviembre del año pasado y en junio aprobó inversiones adicionales en equipos. La fábrica de Noida, que antes se utilizaba para ensamblar placas de teléfonos inteligentes, podrá llegar a producir más de 50 millones de módulos al año.

Desde principios de 2026, Hanyang Digitech ha invertido más de 31.500 millones de wones en automatizar su planta de módulos de memoria en Vietnam. SFA Semicon está trasladando equipos de pruebas y ensamblaje de DDR5 del campus de Samsung en Onyang a una nueva instalación en Filipinas. La primera fase del traslado comenzará en noviembre y la segunda está prevista para el segundo trimestre de 2027.

Las limitaciones de Samsung están relacionadas en parte con la construcción de una nueva fábrica de HBM dentro del campus de Onyang. El proyecto está valorado en 6 billones de wones y su finalización llevará varios años. Mientras sigan las obras, apenas queda espacio libre para ampliar la producción de módulos convencionales.

Al mismo tiempo, se está construyendo otra planta en la provincia de Thai Nguyen, en el norte de Vietnam, con un coste de 1.500 millones de dólares. Se dedicará a probar tipos de memoria más antiguos: DDR4, LPDDR4 de bajo consumo, memoria flash NAND y unidades UFS.

La fabricación de módulos DDR5 consiste en montar chips DRAM y NAND ya encapsulados en placas de circuito impreso mediante tecnología de montaje superficial. El proceso es bastante más sencillo que el empaquetado avanzado que se emplea para la HBM, por lo que técnicamente resulta relativamente fácil confiar estas operaciones a contratistas.

Micron ya había optado por una estrategia parecida: trasladó parte de la producción de memoria convencional a fabricantes externos y concentró sus recursos internos en productos con márgenes más altos. No se sabe aún si SanDisk seguirá el mismo camino: su estructura productiva y su catálogo difieren bastante de los de Samsung y Micron.