Kioxia declara la guerra a la escasez de memoria: los SSD rápidos quieren desplazar a la cara DRAM en los servidores de IA

Kioxia prepara memoria flash para una época en la que la inteligencia artificial ha empezado a consumir memoria a escala industrial. La empresa japonesa está desarrollando soluciones que deberían reducir la dependencia de los centros de datos de la cara DRAM, una memoria de acceso aleatorio con latencia muy baja, pero también con un coste elevado y un suministro limitado.

Kioxia no promete sustituir por completo la DRAM: la memoria flash NAND que se utiliza en los SSD es, por naturaleza, más lenta. La propuesta es más pragmática: trasladar parte de los datos y algunas cargas de trabajo a unidades rápidas y a módulos de expansión de memoria, y dejar la DRAM para las tareas que requieren una latencia mínima.

Uno de los productos clave de la empresa es la serie GP1 Series PCIe 6.0 NVMe SSD. Estas unidades están pensadas para manejar un número muy elevado de operaciones de entrada y salida en infraestructuras de IA y permiten la comunicación directa entre las GPU y el almacenamiento. Esto podría reducir el movimiento de datos por los canales habituales del sistema durante los cálculos más exigentes.

La interfaz PCIe 6.0 ofrece un ancho de banda muy superior al de las generaciones que se utilizan ampliamente en los SSD para servidores. En la práctica, esto es especialmente importante para los sistemas de IA, que trasladan constantemente grandes volúmenes de datos entre unidades, procesadores y aceleradores.

Kioxia también presenta los SSD empresariales CM10 Series y las unidades para centros de datos NX1 Series, compatibles con refrigeración líquida. La CM10 utiliza memoria flash BiCS FLASH de décima generación, mientras que la NX1 tiene formato E1.S y funciona a través de PCIe 5.0. Aquí la refrigeración líquida no es un adorno para la presentación: el alto rendimiento genera más calor y obliga a refrigerar los servidores casi como si fueran equipos industriales.

Según Nikkei Asia, la idea más ambiciosa de Kioxia es utilizar NAND rápida como alternativa a una parte de la DRAM convencional. El principal desarrollo en esta línea es la XL1 Series, un módulo de expansión de memoria compatible con CXL y equipado con tecnología XL FLASH.

CXL permite conectar memoria más cerca de los procesadores a través de una línea PCIe y añadir capacidad al sistema sin tener que almacenar cada byte en DRAM. Según Kioxia, la combinación de NAND de alta velocidad y un controlador CXL reduce la latencia de lectura más de diez veces frente a los productos NAND convencionales.

La XL1 debería ocupar una posición intermedia entre la rápida y cara DRAM y los SSD estándar, más lentos. Kioxia afirma que sustituir parte de la DRAM por módulos CXL puede duplicar la memoria disponible y aumentar el rendimiento un 30 %. Sin embargo, eso no significa que la memoria flash vaya a imponerse a la memoria RAM: para las tareas sensibles a la latencia, sustituir la DRAM por completo reduciría la velocidad.

Está previsto que las muestras de prueba de la XL1 se entreguen a socios tecnológicos en agosto de 2026. La empresa también presentará sus desarrollos en la feria FMS 2026, en Santa Clara, California, donde habrá presentaciones, sesiones técnicas y demostraciones.

La estrategia de Kioxia no parece un intento de mandar la DRAM al vertedero de la historia, sino de estirar la memoria escasa para que llegue a todos. Para los servidores de IA, esto podría traducirse en más memoria disponible, menos presión sobre el suministro y un gasto más razonable, siempre que las cifras anunciadas se confirmen en condiciones reales.